HBM 堆疊

定義

HBM 堆疊是 HBM 記憶體模組內部的垂直堆疊技術：多層 DRAM die 垂直堆疊，透過 TSV、micro-bump 或來源主張中的 hybrid bonding 與 base logic die 連接，以提高記憶體頻寬、容量密度與 energy efficiency。

與 CoWoS 的區別

HBM 堆疊解決的是「記憶體模組內部」的堆疊與頻寬；CoWoS 解決的是「系統級封裝」：把 GPU / AI accelerator die 與多個 HBM stack 透過 silicon interposer / RDL 等方式整合。

HBM 堆疊：DRAM die → HBM stack
CoWoS：accelerator die + 多個 HBM stack → system package

主要參與者

來源主張 SK hynix、Samsung Electronics、Micron Technology 是 HBM 堆疊主要供應商，與 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company 的 CoWoS 形成互補：記憶體廠提供 HBM stack，台積電完成 accelerator + HBM 的 system-level integration。

待核驗

• HBM3E / HBM4 / HBM4E 的層數、hybrid bonding 採用時程與供應商市占率。
• 台積電是否提供 HBM logic base die，以及與各記憶體廠的分工。
• Samsung I-Cube / X-Cube 與台積電 CoWoS 的競爭程度。