High-NA EUV

定義

High-NA EUV 是下一代高數值孔徑 extreme ultraviolet lithography。來源把它放在 AI三層蛋糕 第一層 Compute / 先進製程的經濟性瓶頸中：晶片持續微縮需要更昂貴設備與更高製程複雜度，但投資回報需與良率、成本、產能與客戶需求平衡。

在台積電策略中的意義

來源主張台積電因 High-NA EUV 成本高與現有 EUV 已足夠，2029 年底前暫不導入量產，改以：

• 既有 EUV 製程優化；
• 奈米片架構；
• design-technology co-optimization；
• CoWoS / 3DFabric；
• COUPE / photonics；

共同支撐 AI 系統效能提升。

注意

這不代表 Compute layer 停止，而是「先進製程繼續推進，但單靠微縮不再足以滿足 AI scaling」。因此第二層 advanced packaging 與第三層 optical interconnect 的重要性上升。

待核驗

• 台積電是否正式說明 High-NA EUV 導入時程。
• High-NA EUV 對 N2、N2P、A16、A13/A12 的關係。
• 設備價格、throughput、mask、良率與成本效益。